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手机RAM和ROM你真的了解吗?

时间:2017-09-13 13:08来源:知行网www.zhixing123.cn 编辑:麦田守望者

对于产品性能同样非常重要的 RAM(运行内存)和ROM(储存内存)相信就没有那么多人有很多了解了,今天的这篇文章,就先来说说储存内存的那些事,衡量一块闪存和运存性能好坏的,只有两个指标:数据读写速度和容量。

3D NAND闪存

关于容量首先需要强调,手机储存容量、固态硬盘(SSD)、U盘和SD卡等使用的都是一种叫做NAND的储存介质,传统的储存介质还有机械硬盘 (HHD),也就是传统的光盘储存。特点是断电之后也能保持储存的数据不丢失,可以作存储数据用。而所谓的RAM(运行内存)则是通过某种电容 (DRAM、SRAM或RRAM)储存数据的,断电之后数据马上消失,但是数据吞吐速度及其迅速。

 

我们都知道现在苹果已经将自家的iPhone容量整体翻了一倍,从以前的16GB/64GB/128GB改为了32GB/128GB/256GB,所以即使今年的iPhone7销售情况并不能比上去年的iPhone6s,但是对NAND闪存的需求量仍然上涨了接近一倍,再加上固态硬盘的价格持续走低,这种几 年前还是奢侈品的硬盘现在已经走进寻常百姓家,需求量也大大增长,这一切都促使着NAND闪存产量需要大幅增加。再加上2D NAND的生产线很多都为最新的3D NAND闪存腾了出来而3D NAND技术就是最近几年闪存容量飞速增长的最大助力。

 

 

 

传统的2D-NAND如果想要在同样的芯片体积上增加储存容量,需要NAND cell单元制程越做越小,这样才能在单位面积中塞入更多的存储单元,可是物 理这个东西总是有极限的,在20nm工艺之后,随着单元体积的进一步缩小,会带来越来越严重的电子干扰现象,这就使得储存芯片的可靠性与读写性能反而会降低。

在这种窘境下,3D NAND技术被提了出来,简单来说就是将原来平面排列的NAND cell再加一个垂直方向上的堆叠,这种垂直方向的排列可以在微观下 数倍的增加可用体积,可是因为单个cell单元的体积极小,所以并不会在宏观层面带来体积增加。并且因为可用体积成倍增长,使用3D NAND堆叠的闪存 可以用更加成熟的制程,所以三星、Intel等厂商生产的3D NAND闪存都是使用的30nm左右的制程,而不是20nm以下的制程,这也为 3D NAND带来了更加优秀的可靠性。例如目前20nm工艺下的MLC闪存的擦写次数普遍是3000次,而使用了3D NAND技术的三星的V- NAND闪存可达35000次。

 

正是因为3D NAND技术的提出和普及,现在我们越来越多地看见在以前难以想象的1TB SD卡这样的怪兽级储存设备,而在相同的芯片体积下,手机的 ROM和电脑的SSD等也有着越来越大的储存容量。可惜的是这项拥有光明前景的技术在国内无人能够掌握,三星和Intel等厂商已经能够制造36、48层 甚至是64层的3D NAND堆叠,国内前段时间也传出中芯将在武汉花费160亿美元建立DRAM和NAND工厂,可是就现在的情况来看,国内厂商仅仅能 够生产出4层堆叠的3D NAND,和业界巨头来比还相去甚远。

除了容量,读写速度也是制约使用体验的因素之一,想必所有人都尝到过游戏、应用加载过慢的痛苦,但是随着各家厂商提出新的标准规格,近年来小到不起眼的手机 内存也迎来了突飞猛进的发展。现在的内存标准规格可以分为3类,一是传统的eMMC,再就是分别由三星和苹果提出的UFC标准和NVMe标准。

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标签(Tag):手机RAM 手机ROM
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